代换IPP126N10N3G场效应管，60N1F10A国产MOS管更适合DC-DC电源用

在IT 及消费电子、医疗、新能源、交通等下游需求的增长下，2030 年中国电源行业产值规模有望达 6114 亿元。随着规模的不断发展，技术也在不断提升，对于电源以及DC-DC电源的产品质量也在提升。

对于DC-DC电源的质量提升，场效应管是一个非常重要的元器件。目前国内可以使用60N1F10A来代换IPP126N10N3G、STP80N10F、SVG10120NAT等型号参数的场效应管来应用在DC-DC电源中。

为何是选用60N1F10A来代换IPP126N10N3G、STP80N10F、SVG10120NAT等场效应管呢？这是因为这一款具有TO-220封装形态的MOS管，是可以广泛使用在DC-DC电源中。

其产品参数为何可以用于DC-DC电源，我们再来复盘一下：

1、具有60A、100V的电流、电压， RDS(on) = 12mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =10.2mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±20 V。

60N1F10A是一款N 沟道增强型场效应晶体管，TO-220封装大小适合电路。

这款产品还具体参数值为：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。

反向传输电容：10pF、最大脉冲漏极电流（IDM ）：240（A）。

正因为该MOS管的上述参数，在DC-DC电源中起到电能控制和转换，保证电源的高效运行。

如果需要选择强大的电子元器件的供应链厂家来保障。建议了解飞虹国产型号：60N1F10A型号参数来替换IPP126N10N3G、STP80N10F、SVG10120NAT等型号来应用。

60A 、100V的MOS管替换使用，选对的型号参数让企业产品力up。飞虹已获得实用专利及发明15项，并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在DC-DC电源、储能电源、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源、园林工具和BLDC电机驱动中获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。